HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究
作者: 田媛著
出版社: 东北大学出版社
出版日期: 2019.09
ISBN-13: 9787551722742
ISBN-10: 7551722742
页数: 106
原书定价: 48.00
开本: 无
丛书名: 无
主题词: 单晶·晶体生长·研究
中图分类号: O782
中图分类名: 数理科学和化学›晶体学›晶体生长›晶体生长工艺
本书主要结合作者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。第二三章介绍了衬底及VIII对GaN单晶生长动力学及晶体质量的影响，优化了GaN单晶生长工艺；第四五章介绍了采用低温缓冲层技术分别在并在蓝宝石和SiC衬底上生长获得…目录仅对会员开放。